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IRFS3206TRRPBF  与  IPB037N06N3 G  区别

型号 IRFS3206TRRPBF IPB037N06N3 G
唯样编号 A-IRFS3206TRRPBF A-IPB037N06N3 G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 60 V 300 W 120 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 9.25mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3mΩ@75A,10V 3.7mΩ@90A,10V
上升时间 - 70ns
Qg-栅极电荷 - 98nC
栅极电压Vgs ±20V ±20V
正向跨导 - 最小值 - 61S
封装/外壳 D2PAK TO-263-3
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 210A 90A
配置 - Single
长度 - 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 5ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
高度 - 4.4mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 300W(Tc) 188W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 150µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 6540pF @ 50V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 30ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 170nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRFS3206TRRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 300W(Tc) -55°C~175°C(TJ) 3mΩ@75A,10V N-Channel 60V 210A D2PAK

暂无价格 0 当前型号
AOB266L AOS  数据手册 功率MOSFET

TO-263 N-Channel 60V 20V 140A 268W 3.2mΩ@10V

¥5.159 

阶梯数 价格
10: ¥5.159
100: ¥4.125
314 对比
PSMN004-60B,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN004-60B_SOT404 N-Channel 230W 175℃ 3V 60V 75A

¥14.1332 

阶梯数 价格
200: ¥14.1332
400: ¥11.5846
800: ¥10.0735
0 对比
BUK763R1-60E,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

BUK763R1-60E_SOT404 N-Channel 293W 175℃ 3V 60V 120A

暂无价格 0 对比
PSMN3R0-60BS,118 Nexperia  数据手册 功率MOSFET

PSMN3R0-60BS_SOT404 N-Channel 306W 175℃ 3V 60V 100A

¥14.2095 

阶梯数 价格
200: ¥14.2095
400: ¥11.6471
800: ¥10.128
0 对比
IPB037N06N3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPB037N06N3GATMA1_60V 90A 3.7mΩ@90A,10V ±20V 188W N-Channel -55°C~175°C TO-263-3

暂无价格 0 对比

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